9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台 ”）实现量产 ，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品 。

　　长鑫存储公布的信息称，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米
，接近全球比较好 的内存量产平台制程
。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺 ，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米 。

　　据介绍
，研发过程中，长鑫存储在现有工艺模块的基础上 ，创造了独特的数字孪生系统
，贯穿包括设计 、开发、制造
、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中 ，搭建先进DRAM工艺模型
，加速研发进程
。同时，在界面工程、鞍形鳍式结构 、低k间隔层位线等核心工艺上实现突破。

　　长鑫存储在本次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品 ，单颗容量均为24Gb
，较上一代同类型产品提升50%，可适配中高端智能手机
、便携式消费电子等不同场景需求 ，近来 均已进入规模量产阶段 。

　　长鑫存储表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代
，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑
。

（文章来源：深圳商报·读创）